Этот заголовок, как нам кажется, точнее всего передает диффузионно-дислокационный ПК-механизм (пар-кристалл) роста усов, который своим появлением обязан Сирсу. В его развитие также внесли большой вклад немецкие (В. Диттмар и К. Нойман) н американские (Дж. Хирс и В. Рас) ученые.

Это позволило сделать вывод, что осевой рост вершины уса происходит не столько за счет атомов, ударяющихся в вершину, сколько за счет атомов, адсорбирующихся па боковой поверхности винтовых ступенек на вершине нитевидного кристалла и диффундирующих к ней. Наличие винтовой дислокации (еще практически никем не обнаруженной) было принято Сирсом за постулат; незарастающая, двигающаяся по длине уса ступень обеспечивает непрерывный, почти безбарьерный рост нитевидного кристалла.

Рост... По как зародилась первая ступенька? Вопрос о ее генетическом происхождении остался обойденным. Сире лишь предположил, что «прародителями» винтовых дислокаций, по всей вероятности, могли быть отдельные кристаллы подложки (например, кристаллы стекла) или же приметные частицы. Обрастание кристаллов иле примерных частиц, возможно, и приводит к возникновению незарастающей ступеньки. При бомбардировке атомами (пли молекулами) «тела» уса.

Утолщение нитевидного кристалла происходит гораздо медленнее, чем осевой рост. По Сирсу, утолщение усов осуществляется за счет развития расширения ступеней от основания уса. При этом максимальный диаметр нитевидного кристалла зависит от двух величин - перенасыщения и скорости диффузии атомов в газовой фазе и по поверхности ступеньки.