Что же показали эти наблюдения? Во-первых, на вершине нитевидных кристаллов, как правило, наблюдалось полусферическое образование, находящееся, как предположил Вагнер, в жидком состоянии. Это полностью не соответствовало представлениям о дислокационных ступеньках роста в ПК-механизме.

Во-вторых, рентгеноструктурный анализ позволил установить, что усы Si продолжали расти в направлении «первично выращенного» уса. Никаких новых направлений роста не наблюдалось: т. е. после испарения значительной части «первичного» нитевидного кристалла в нем сохранились условия для развития первоначальной морфологии. Это также противоречило положениям ПК-механизма. Ведь если бы рост усов определялся ступенчатой дислокацией, то она должна была бы выдержать напряжения и термообработку, которыми сопровождались «первичный» рост и частичное испарение уса с его вершины.

Наконец, Вагнер представил исключительно интересные результаты электронно-микроскопического анализа выращенных усов. Сколы гексагональных усов кремния диаметром около 50 мкм по граням (111) были протравлены смесью крепких кислот и другими травителями. Таким образом была выявлена в центре поперечного сечения четко наблюдаемая треугольная полость («ямка травления»).

Что же представляет собой обнаруженный Вагнером центральный «стержень» уса с треугольным сечением? Анализ его до и после отжига при инфракрасном излучении позволил установить, что в центральном стержне имеется относительно высокое содержание примесей. Этот участок уса играет роль инициирующего «лидера», который впоследствии утолщается до диаметра уса.