А что же случится, если но помещать агент-растворитель па подложку кремния? Будет ли в отсутствие контакта примеси Ли с подложкой Si происходить рост усов по ПЖК - механизму?

Оказывается, будет. Если расположить примесную твердую частичку Ли размером 1 мкм па инертной подставке, например нити из кварца, вблизи подложки Si, то благодаря восстановлению SiClt водородом при температуре TL начнет выделяться кремний. На частичке золота образуется жидкий слой сплава Si-Ли состава Си. По мере роста концентрации кремния жидкий слой увеличивается до полного растворения всего золота. Как только это произойдет, начнется качественно новый процесс повышения концентрации кремния в жидком сплаве Si-Ли пока не достигнет критического состава Сью который соответствует состоянию насыщения кремнием сплава Si-Аи при данной температуре.

Сейчас сложилось такое положение, что обе модели роста усов из газовой фазы - ПК - и НЖК - механизмы - имеют как своих сторонников, так и своих противников. При этом легко проследить «генетическую» канву происхождения этих симпатии.

Те, кто занимается выращиванием полупроводниковых усов, например Г. Вагнер, Е. И. Гиваргизов и другие, являются сторонниками «капельного» ПЖК - механизма. Они отрицают механизм, основанный на наличии осевой винтовой дислокации. Но если Вагнер еще деликатно отзывается о ПК-механизме, подчеркивая, что ПК-механизм, главным творцом которого он является, относится лишь к выращиванию усов кремнии, то Гиваргизов закрывает забрала и бросается в бой против ПК-механизма, отдавая все свои симпатии исключительно капельке сплава, вытягивающей за собой нитевидный кристалл.