Как правило, перед нанесением металлических пленок, па поверхности которых затем зарождаются и выращиваются усы, подложка подвергается ионной очистке. Для этого один из контактов высоковольтного источника мощностью до 2 кВт подсоединяется к металлическому корпусу реактора, а второй располагается па расстоянии 10-20 мм от поверхности подложки. В качестве подложек удобно использовать молибденовую фольгу или стержень (трубку) из нержавеющей стали любой марки. Перед ионной очисткой они протираются тампоном, смоченным в этаноле.

В момент возникновения разряда появляется красивое голубоватое свечение, попы газа бомбардируют подложку, очищая ее от малейших примесей.

При терма - распаде 1,1,3,3-тетраметил-1,3-дпферро-ценилдисилазапа в зависимости от условий эксперимента образуются либо иглообразные «зерна» Бе с соотношением диаметра к длине примерно 1 : 8 (при диаметре 0,3-0,5 мкм), как бы рассыпанные по поверхности подложки, либо тонкая «паутина», состоящая из довольно запутанных нитевидных кристаллов (диаметр до 1 мкм, длина до 20-40 мкм). В состав этих усов наряду с Бе входят примеси Бі и N.

Выращивание металлических усов часто сопровождается кристаллизацией двумерных «пластинчатых» кристаллов. У таких образований размеры в двух направлениях, образующих плоскость, приблизительно одинаковы. Однако они во много раз превосходят размеры в третьем направлении, перпендикулярном плоскости.