Результаты кинетических экспериментов были ошеломляющими. Казалось, тонким усам требуется меньше «материалов» для роста и они (исходя из обычной логики) должны расти быстрее толстых нитевидных кристаллов. Однако эксперимент Гиваргпзова полностью опроверг это то получится очень впечатляющая картина! Выходит, что при любых пресыщениях паров ЭЮЦ в Нг скорость роста усов резко увеличивается после достижения усами диаметра 1 мкм.

И еще одно интересное обстоятельство вытекает из графика: кинетические кривые «истекают» не из нуля, т. с. существует некий критический диаметр (конечно, разный для разных концентраций исходных и Ш), ниже которого рост прекращается.

Гиваргпзов дал исчерпывающее объяснение этому феномену. Оба отмеченных обстоятельства свидетельствуют о наличии эффекта Гнббса-Томсона, который заключается, как известно, в том, что давление насыщенного пара над искривленной поверхностью выше, чем над плоской, и выражается соотношением

Из формулы следует, что пересыщение пара над искривленной поверхностью всегда ниже, чем над плоской. А при достаточно большой кривизне, т. е. малом диаметре уса, оно становится равным нулю.

Зависимость радиальной периодической неустойчивости нитевидных кристаллов Si от температуры нагрева подложки 14 (111)-Si изучалась Гиваргпзовым в интервале температур от 940 до 1220° С. Обработка фотоснимков, сделанных при разной температуре, показала, что появление периодической неустойчивости у усов Si очень сильно зависит от нагрева подложки.