При температурах 940-980° С при любых концентрациях паров SiCl4 образовывались лишь кристаллы усов с абсолютно гладкой поверхностью. При температуре 1020° С топкие усы в виде «бус» возникали лишь при больших пересыщениях SiCls в газовой фазе, а при температурах 1060 и 1100° С уже почти все тонкие усы Si росли в виде «бус», т. е. обладали «устойчивой неустойчивостью». При более высокой температуре подложки перетяжки (узелки) между отдельными «бусинками» заростали и поверхность усов маскировалась, сглаживалась. В последнем случае Гиваргизов допускал рост кристалла Si по ПК-механизму (минуя жидкую фазу Si с примесью Ли).

Влияние пресыщения паров SiCI, в Н, на возникновение и прекращение «устойчивой неустойчивости» растущих усов Si Гиваргизов установил очень просто: прямо в процессе роста усов он периодически уменьшал и увеличивал концентрацию паров хлорида.

Оказалось, что при концентрации 8іС14 в Н2 до 0,6 мол. % никакими вариациями температурного режима нельзя добиться получения усов с «бусинками». А вот при повышении этой концентрации до 1,5 мол. % при достижении 1000° С достигается режим «устойчивой неустойчивости». При 1050° С и особенно при 1100° С и выше «бусинки» образуются уже при концентрации 0,75 мол.% ЭхСЦ в II».

Что касается влияния природы примесей металлов-катализаторов в капельке жидкого кремния, то было установлено, что ни платина, ни серебро, пи никель не способствуют росту усов Э1 в модификации «устойчивой неустойчивости» (так, как это происходит в присутствии золота). Например, при использовании платины «бусинки» возникали лишь при температуре 1250° С, да и то при очень большой концентрации паров ЭЮ» - выше 15 мол.%. Л в присутствии никеля усы в виде «бус» так и не образовались.