До сих пор мы говорили о так называемых нерегулярных системах нитевидных кристаллов, в которых усы, как правило, растут хаотически и имеют самые различные размеры и ориентацию. Однако сплошь и рядом требуется выращивать регулярные ориентированные системы, в которых усы имеют заранее заданные размеры и даже размещены в нужных точках.

Первый, наиболее простой метод обеспечивает высокопроизводительный рост усов на подложке, предварительно покрытой топкой пленкой металла-катализатора. Здесь достаточно знание оптимальных технологических факторов (температура, концентрация исходного соединения, газовые потоки и т. д.).

Второй метод позволяет получать усы с высокой взаимной ориентированностью.

Третий, самый сложный метод позволяет выращивать усы не только одинаково ориентированные, но и одинаковых размеров.

В первом случае кристаллизация проводится на подложке из того же материала, что и выращиваемые усы. Предварительно подложка подвергается механической и химической очистке. После этого па нее методом вакуумного испарения наносится топкая пленка металла-катализатора (золота) толщиной около 100 А. Кристаллизация кремния обычно проводится в интервале температур 900-1000° С в потоке газовой смеси 8С14 с Н2 с общим расходом от 0,1 до 10 мол.%. При нагреве до температуры, превосходящей эвтектическую, на подложке в соответствии с фазовой Диаграммой образуется жидкая пленка раствора Э1 в расплаве Аи. Эта пленка в силу своей термодинамической неустойчивости и под влиянием сил поверхностного натяжения разбивается на отдельные микрокапли с размерами от 300 А до 1-5 мкм. Каждая из капелек вызывает рост одного нитевидного кристалла. Расстояния между микрокаплями разные и составляют обычно величину нескольких микрон. Из-за этого рост усов Si происходит почти в идентичных условиях, хаотически и бурно.