Во втором случае необходима подложка не просто из того же материала, что и выращиваемые усы, но и наиболее плотно упакованная и четко сориентированная. Для этого (в случае выращивания усов Si) хорошо подходит подложка из кремния, ориентированная по грани. На подложке - Si в оптимальных технологических условиях опытный экспериментатор может получить монокристаллические усы, например, перпендикулярные этой подложке.

Если перед кристаллизацией ориентированных усов металлическую. Ли механическим путем аккуратно удалить на требуемом участке, то на подложке образуются так называемые «просеки». Па них растут лишь отдельные сравнительно тонкие и редкие усы Si, что объясняется наличием на подложке оставшихся после удаления пленки отдельных мельчайших частиц Au.

Наконец, для выращивания ориентированных усов заданного размера необходимо соблюдать исключительно жесткие требования стерильности. В этом случае на подложке (111)-Si требуется очень равномерно расположить частички золота (вместо обычного нанесения тонкой пленки золота). Для этого обычно пользуются графитом или маской из ниролитического графита, которая имеет необходимое количество отверстий. В последнее время стал успешно использоваться метод фотолитографического травления. Сплавление проводится в то время, когда трафарет находится на подложке. Перед выращиванием усов он удаляется (в этом и состоит основная техническая сложность). Однако такое ведение процесса обеспечивает получение регулярных систем усов с одинаковыми размерами элементов и ориентированно расположенными в строго заданных точках.