Германиевые «грибы»

Нержавеющие и ржавеющие металлы

Еще в 1963 г. львовские ученые А. В. Сандулова, П. С. Богоявленский и М. И. Дронюк успешно освоили процесс получения длинных монокристаллических усов Si в замкнутом реакторе путем химического транспорта Sili в ампуле. Кварцевая ампула диаметром 20- 25 мм и длиной до 250 мм имела иерстяжку, которая делила общий объем на две неравные части. В большей части (зона источника) размещался моно или поликристаллический Si (порядка 5 г) и транспортиру агент, в качестве последнего использовался под (0,5 г), а также инициатор (Au, Си или Pt в количестве от 5 до 10 г).

Исходное вещество перед загрузкой охлаждалось жидким азотом, в ампуле создавался вакуум 1-Ю-5 мм. ст., после чего она запаивалась. Запаянную ампулу помещали в электропечь градиентного типа таким образом, чтобы большая часть ампулы (зона источника) имела температуру 1100-1200° С, а меньшая часть ампулы (зона кристаллизации) - 850- 950° С.

В результате осуществления обратимой реакции кремни переносился из зоны источника в менее нагретую зону кристаллизации и там осаждался в виде усов. В качестве транспортирующего агента использовались также бром, хлор, селен и некоторые другие вещества.

Германиевые усы (а это, как известно, самый ближайший «родственник» кремния) тоже можно выращивать в ампуле. В отличие от усов Si усы Ge выращиваются при более низких температурах. В зоне источника температура должна быть равной 900- 1100° С, а в зоне кристаллизации - 700-900° С. В отличие от кремниевых германиевые усы интенсивно выращиваются не только в присутствии Au, Pt и Си, но и в присутствии Sb.

Интересно, что без инициаторов (Аи и др.) даже на идеально чистой подложке и при соблюдении особой стерильности эксперимента усы Ge вырастить не удается. Вместо усов образуются поликристаллические наросты самых различных форм или же многогранные кристаллы.

Шляпки стабилизируются и часто приобретают грани на стадии охлаждения, когда вещество выделяется из раствора. Хорошо видно, что контактный угол капли па вершине уса велик, и поэтому самые тонкие кристаллы на самой последней стадии роста теряют свою шляпку.




Автор: allmetal | Дата: 9-07-2011, 09:21 | Просмотров: 1672
- - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - -

Интересное:
  • И наконец - магнитное поле!
  • Опыт Вагнера по испытанию гексагональных усов
  • Выращивание металлических усов
  • Влияние пресыщения паров SiCI
  • Требование стерильности

  • Категории:


    Популярные новости:

    » Можно ли достичь теоретической прочности?
    » Прослойки в литом металле
    » Развитие ВР в материале с дисперсной фазой
    » Расширение металла при нагревании
    » Технология промышленных способов борирования
    » Бездоменный процесс получения качественной стали и спла ...
    » Принцип работы МНЛЗ
    » Что такое флокены?
    » Ударная вязкость сталей
    » Исследование карбидов в хрупком и вязком состояниях

    Счетчики:


    < ?php