По мнению Сирса, рост усов на поверхности высыхающего влажного кристалла можно объяснить переносом масс по осевой винтовой дислокации, возникающей из-за гидродинамического течения, имеющего место в мономолекулярном слое раствора соли на внешней грани исходного кристалла-подложки. Движущей силой процесса здесь может быть градиент поверхностного натяжения, возникающий из-за наличия градиента концентрации.

Возникновение и рост усов в растворах, содержащих затравки в виде органических веществ, наблюдали и изучали многие исследователи. Наиболее исчерпывающие исследования в этом направлении были осуществлены Г. В. Бережковой с сотр. Оказалось, что образованию усов в этих условиях способствуют содержащиеся в растворах примеси длинноцепочечных молекул, таких, как поливиниловый спирт, жирные кислоты и ряд других. Так, при выращивании усов КВг подложка-затравка (кристалл КВг) помещалась в насыщенный при комнатной температуре раствор, содержащий небольшое количество примесей поливинилового спирта - CII2SA(OA)-„. По истечении некоторого времени на всех плоскостях прямоугольной подложки вырастали (перпендикулярно поверхности) ровные тонкие усы КВг. Рост усов фиксировался кинокамерой на пленке, эти данные статистически обрабатывались.

Было отмечено, что возникновение и рост усов КВг в первую очередь наблюдается на ступенях скола, царапинах и прочих дефектных местах поверхности подложки. На свежих (намеренно привнесенных) механических повреждениях подложки образуется значительно большее количество усов и растут они быстрее. Особенно интенсивный рост усов КВг наблюдается на подложке, обработанной микрошкуркой. Химическое травление, наоборот, ингибирует (пассивирует) поверхность, и усы после такой обработки подложки вообще не растут.