Пары многих соединений металлов (галогениды, ценовые, карбопплы н др.) являются очень удобными исходными объектами для выращивания металлических усов. Правда, из этих соединений п прп обычных условиях легко образуются нитевидные кристаллы. Может быть поэтому вплоть до конца 50-х годов в литературе отсутствовали данные о влиянии электрического поля на термораспад этих соединении при зарождении и росте нитевидных кристаллов.

В 1961 г. появились работы Дж. Мазура, Дж. Рафа-ловича, Т. Гоффманна и др. по выращиванию усов Ре, Си п Ag восстановлением паров из галогенпдов в токе водорода в электрическом ноле при напряжении 1- 2 кВ. Авторы отмечали образование металлических усов как на катоде, так и па аноде. При этом всегда направлеппе роста нитевидных кристаллов Ре, Си и Ag совпадало с направлением силовых линий электрического поля.

Г. В. Бережкова, оценивая результаты этих исследований, отмечает, что материалом для роста нитевидных кристаллов во всех случаях являлись иопы металлов пли поляризованные молекулы их соединений. Образование усов не только на катоде, но и на аноде, по ее мнению, может быть связано с существованием разиозаряженных ионов, образующихся при термораспаде галогепидов. Например, в случае усов Си ими могут быть Си+ и С1~.

Несколько позже И. Таруи подробно исследовал рост усов в1 из паров 8гС1 в токе Нг па плоской подложке-катоде из кремния. Он показал, что отрицательный заряд исключительно эффективно влияет па регулируемый рост усов Я. Выше мы уже приводили интересные данные Овсянникова, а также японских и немецких ученых по влиянию электрического поля па выращивание усов Сг, Мо и УУТ из паров их гексакарбонилов.

Вывод всех исследователей однозначен - выращивание усов из газовой фазы в электрическом ноле является очень перспективным методом.